クラスically スケール不変なモデルで、電磁弱相転移はサーボクーリングした一段階で進行し、QCDスケールを上回る温度で完了することが示された。

転移は偽真空割合を追跡して分析され、結晶化温度は核生成率の積分が0.34になる点として定義された。

ベンチマーク点 BP1、BP2、BP3 では転移強度 α が 546 から 3.30 に減少し、逆時間パラメータ β/H が 127 から 243 に増加した。

有効領域はヒッグス信号強度制約、LEP によるディラトン混合制限、ランドールポール/摂動性制約で絞られ、残る一段階帯は 0.12 ≲ α_Q/4π ≲ 0.2 および β_Q/4π ≲ 0.03 の範囲に位置する。